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【公式】フジのお歳暮・冬ギフト 128Kbit DIP32 DS1249Y-100 NV Timekeeping with 5V 100ns SRAM メモリ

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管理番号 新品 :890034911 発売日 2025-07-05 10:29 定価 5524円 型番 890034911
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【公式】フジのお歳暮・冬ギフト 128Kbit DIP32 DS1249Y-100 NV Timekeeping with 5V 100ns SRAM メモリ

DS1249Y-100 DIP32 128Kbit NV SRAM 100ns 5V with TimekeepingDS1249Y-100 DIP32 128Kbit NV SRAM 100ns 5V with Timekeeping,LOT X 17 PCS DS1245Y-100 DS1245Y-100+ DS1245Y EDIP-32LOT X 17 PCS DS1245Y-100 DS1245Y-100+ DS1245Y EDIP-32,eMMC memory flash NAND with firmware for Samsung Galaxy TabeMMC memory flash NAND with firmware for Samsung Galaxy Tab,Inspur LSI YZCA-00424-101 Raid Card 12Gbps HBA HDDInspur LSI YZCA-00424-101 Raid Card 12Gbps HBA HDD,DS1249Y-100 DIP32 128Kbit NV SRAM 100ns 5V with TimekeepingDS1249Y-100 DIP32 128Kbit NV SRAM 100ns 5V with Timekeeping
  • 部品番号 :DS1249Y-100#
  • 電圧 - 供給4.5V~5.5V。4 GB ( 2 x 2gb ) pc2 – 6400ノートパソコンメモリ4 Dell Latitude d530 531 d620 d630 by CMS a39。
  • 動作温度:0C~70C。Micron 4GB モジュール PC3-10600 1.5V HP ProLiant BL465C G7 SL210T G8 DL385 G7 SL270S G8 DL170E G6 SL4540 G8 BL2X220C BLG7用 420C G。 8 BL460C G8 BL490C G7 BL620C G7 メモリーRAM。。
  • サプライヤーデバイスパッケージ 32-EDIP
  • 速度100ns。8 GB ( 1 x 8gb ) Ramメモリfor Acer Aspire r3 – 131t、r3 – 131t-c0b1、r3 – 131t-c1uf by CMS ( a8 )。


メモリタイプ NVSRAM (不揮発性SRAM)
メモリサイズ 2M(256K x 8)
速度100ns。Hynix 4GB モジュール PC3-10600 1.5V HP ProLiant BL465C G7 SL210T G8 DL385 G7 SL270S G8 DL170E G6 SL4540 G8 BL2X220C G7用 BL420C。 G8 BL460C G8 BL490C G7 BL620C G7 メモリーRAM。。
インターフェース パラレル
電圧 - 供給4.5V~5.5V。/ Qimonda hys72t128020hr-5-a pc2 – 3200r ddr2 400 1 GB ECC REG 1rx8 ( forサーバーのみ)。
動作温度:0C~70C。Hynix 4GB PC2-6400P 2Rx4 DDR2-800 サーバーメモリ HYMP151P72CP4-S6 AB-C WX731。
サプライヤーデバイスパッケージ 32-EDIP

 

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